[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 200910226111.3 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740699A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 裴贞赫 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；所述化合物半导体层上的点式导电层；和所述点式导电层上的电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述化合物半导体层上的点式导电层；和在所述点式导电层上的电极层。
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