[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备无效
| 申请号： | 200910226600.9 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101901750A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 id 标记 半导体 晶片 从中 生产 半导体器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
生产半导体器件的方法，包括：在半导体晶片的周边形成凹陷，所述凹陷的底部相对于半导体器件形成其上的所述晶片的第一主平面倾斜；通过执行蚀刻过程在所述底部形成蚀刻凹坑，依据所述晶片的晶向蚀刻过程的蚀刻速度不同，所述蚀刻凹坑由第二方向晶面确定，第二方向晶面不同于暴露在所述第一主平面的第一方向晶面；根据所述蚀刻凹坑的形状，确定所述凹陷的晶向；以及在所述晶片上形成一参考ID标记，以指示所述晶片的晶向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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