[发明专利]金属纳米结构阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属纳米结构阵列的制备方法，该方法是以硅片为基底，将均匀分散后的二氧化硅纳米球旋涂于硅片基底表面，形成单层有序二氧化硅纳米球致密排列；再采用感应耦合等离子体刻蚀法成形单层有序二氧化硅纳米球非致密排列；再在非致密排列上沉积一层金属膜并将二氧化硅纳米球去除，得到金属纳米孔阵列掩模；然后结合不同类型硅片的不同腐蚀特性对硅片进行腐蚀，去除掩模后得到不同形貌特征的纳米结构阵列模版，最后在模版上淀积以不同材质的金属材料，分离模版后即得到多种形貌特征、多材质的金属纳米结构阵列。本发明的方法具有成本低、效率高、兼容性好等优点，为研究金属纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。

主权项

一种金属纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：(1)制备单层有序二氧化硅纳米球致密排列：先配制二氧化硅纳米球溶胶体系，将该溶胶体系旋涂于一硅片表面，在硅片表面形成单层有序二氧化硅纳米球致密排列；(2)制备单层有序二氧化硅纳米球非致密排列：通过采用感应耦合等离子体刻蚀法将形成所述致密排列的二氧化硅纳米球刻小，在硅片表面得到单层有序二氧化硅纳米球非致密排列；(3)制备金属纳米孔阵列掩模：在所述单层有序二氧化硅纳米球非致密排列上沉积金属膜，金属膜沉积厚度小于所述二氧化硅纳米球粒径，然后腐蚀二氧化硅纳米球，在硅片表面得到金属纳米孔阵列掩模；(4)制备纳米结构阵列模版：以所述金属纳米孔阵列掩模作为刻蚀掩模，利用硅片的腐蚀特性对所述硅片进行腐蚀，然后去除金属纳米孔阵列掩模，得到纳米结构阵列模版；(5)制备金属纳米结构阵列：将成形用金属淀积在所述纳米结构阵列模版上，再使所述纳米结构阵列模版和淀积的金属层分离，得到金属纳米结构阵列。