[发明专利]可复用型微悬臂梁式免疫传感器的制备方法

摘要

本发明公开一种可复用型微悬臂梁式免疫传感器的制备方法，有如下步骤：1)选择硅片；2)在整个硅片上进行硼扩散；3)第一步光刻得到压敏电阻区域图形；4)在片上淀积一层二氧化硅薄膜；5)第二步光刻得到接触孔图形；6)进行浓硼扩散；7)在片上淀积铬与金两种金属；8)第三步光刻得到金属连线的图形；9)高温下通高纯氮气形成铬金合金；10)在片上形成氮化硅薄层；11)第四步光刻得到压焊点图形；12)进行划片操作，使硅片剩余厚度120-150μm；13)第五步光刻得到保留硅厚度150-200μm的未经封装的芯片；14)用玻璃盖片封装芯片。本发明实现以单晶硅为压阻材料的悬臂梁式免疫传感器；实现悬臂梁式免疫传感器的可复用性。

主权项

一种可复用型微悬臂梁式免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)首先选择4英寸P型绝缘体上硅片，晶向为100，电阻率10-20Ω·cm，厚度505～545μm，其中，上层硅厚度为：234±10nm，SiO2厚度为：398±10nm；2)在整个硅片上进行硼扩散，平均掺杂浓度为N≈5.0×1019cm-3，方块电阻大小为：R□≈100Ω/□，单个压阻的阻值约为9.2kΩ；3)进行第一步光刻，使用压敏电阻版在硅片上逐一进行掩膜，刻蚀得到压敏电阻区域图形；4)使用低压化学气相淀积的方法在片上淀积一层二氧化硅薄膜；5)进行第二步光刻，使用接触孔版在硅片上逐一进行掩膜，刻蚀得到接触孔图形；6)进行浓硼扩散，平均掺杂浓度为N＝2～5.0×1020cm-3；7)使用电子束溅射法在片上淀积铬与金两种金属；8)进行第三步光刻，使用金属连接版在硅片上逐一进行掩膜，刻蚀得到金属连线的图形；9)在温度400℃下，通高纯氮气30分钟，形成铬金合金；10)使用低压化学气相淀积法在片上形成氮化硅薄层；11)进行第四步光刻，使用钝化层版在硅片上逐一进行掩膜，刻蚀得到压焊点图形；12)进行划片操作，使硅片剩余厚度120-150μm；13)进行第五步光刻，使用正面腐蚀版在硅片上逐一进行掩膜，具体是使用反应离子刻蚀的方法，先对氮化硅刻蚀，接着对二氧化硅刻蚀，再对硅刻蚀，总刻蚀深度为150-200μm，最后使用湿法刻蚀法对硅纵向刻蚀150μm，得到保留硅厚度150-200μm的未经封装的芯片；14)用玻璃盖片封装芯片。