[发明专利]交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法无效
申请号: | 200910229191.8 | 申请日: | 2009-12-15 |
公开(公告)号: | CN101717980A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 侯峰;阴育新 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;C25D11/26 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 曹玉平 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种采用交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法,步骤为:(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列薄膜;(2)采用交流电沉积的方法制备一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜,在乳酸与水的混合溶液中溶解CuSO4制备Cu2O电沉积液,TiO2/Ti为工作电极,石墨为对电极,在交流电压下沉积Cu2O,用去离子水冲洗Cu2O/TiO2纳米阵列薄膜电极表面,干燥后制得一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜。本发明的方法工艺简单、易于控制,不易破坏TiO2纳米管阵列结构,可望实现廉价大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 交流电 沉积 法制 氧化亚铜 氧化 钛核壳 结构 阵列 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种采用交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法,具有如下步骤:(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列薄膜在搅拌条件下,先将NH4F溶解于水中,搅拌均匀后,再加入丙三醇与二甲基亚砜,然后将混合溶液搅拌1h,得到稳定的透明溶液,其中水、二甲基亚砜与丙三醇的体积比为1∶1∶8,NH4F加入量为水、二甲基亚砜与丙三醇重量的0.5%;以上述溶液为电解液,将经过清洗的Ti片做阳极,Pt片做阴极,室温下加直流电40V氧化2h后,将Ti片取出,用去离子水清洗后,获得无定形一维纳米TiO2纳米管阵列薄膜;然后在马弗炉中以2℃min-1的速度升温至550℃,保温1h后,随炉冷却至室温,制得TiO2纳米管阵列薄膜;(2)采用交流电沉积的方法制备一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜在15ml乳酸与50ml水的混合溶液中溶解5g CuSO4制备Cu2O电沉积液,加入NaOH调整pH=9-11.5,TiO2/Ti为工作电极,石墨为对电极,在5-20℃、1200-1600mV(50Hz)交流电压下沉积Cu2O,沉积时间介于5-60min,电沉积结束后,用去离子水冲洗Cu2O/TiO2纳米阵列薄膜电极表面,然后在100℃干燥10min,制得一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910229191.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种去除活性污泥中高等微生物及求其耗氧速率的方法
- 下一篇:滚动式机械密码锁