[发明专利]一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法有效
| 申请号： | 200910231148.5 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101734628A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 周仕学;张鸣林;陈海鹏;张光伟;康凤楠;张同环;马怀营;王斌;杨敏建;李桂江 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | C01B17/16 | 分类号： | C01B17/16;B01J23/889 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 王连君 |
| 地址： | 266510 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法，特征是包括步骤：a.以活性炭、铁、锰与镁为原料制取储氢材料；b.使噻吩与步骤a获得的储氢材料接触，在250～350℃温度条件下进行反应生成硫化氢。上述步骤中，以活性炭为载体，用浸渍法负载铁和锰，然后与镁粉在氢气中进行反应球磨即可制得所述储氢材料。本发明用镁基储氢材料作为噻吩加氢的氢源和催化剂，使噻吩加氢转化为硫化氢，不使用稀有金属和重金属催化剂，反应压强不超过1.0MPa、反应温度不超过350℃，对加氢反应器材质要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用镁基储氢 材料 噻吩 进行 加氢 方法 | ||
【主权项】：
一种用镁基储氢材料对噻吩进行加氢的方法，特征在于其包括步骤：a以活性炭、铁、锰与镁为原料制取储氢材料；b使噻吩与步骤a获得的储氢材料接触，在250～350℃温度条件下进行反应生成硫化氢。
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