[发明专利]免清洗太阳能锗衬底片的表面处理方法无效
| 申请号： | 200910233350.1 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101696516A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 孙小华 | 申请（专利权）人： | 南京中锗科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 211165*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗衬底片表面处理和清洗步骤：1)化蜡，将两杯配有3～5％的化蜡剂加热至70℃±5℃；将晶片放入第一个量杯，后不停晃动20秒；将同一晶片放入第二个量杯，后不停晃动20秒；取出后用大量纯水冲洗1分钟；2)酒精洗，化蜡后经纯水冲洗过的片子放入纯度＞95％的酒精中去除有机物，片子在酒精中不停摇动30秒钟，取出后用大量纯水冲洗1分钟；3)盐酸双氧水腐蚀，配制1∶1∶20(HCl∶H2O2∶H2O)腐蚀液，并维持温度在15℃。将前道纯水冲洗过的片子放入此溶液中，不停摇动30秒，取出后用大量纯水冲洗1分钟，然后甩干，检查片子是否通过。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 太阳能 衬底 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种免清洗太阳能锗衬底片的表面处理方法，其步骤在于，步骤一、化蜡：将两杯配有3～5％的化蜡剂加热至70℃±5℃；将晶片放入第一个量杯，后不停晃动20秒左右；将同一晶片放入第二个量杯，后不停晃动20秒左右；取出后用大量纯水冲洗1分钟左右；步骤二、酒精洗：化蜡后经纯水冲洗过的片子放入纯度大于95％的酒精中去除有机物，片子在酒精中不停摇动30秒钟左右，取出后用大量纯水冲洗1分钟左右；步骤三、盐酸双氧水腐蚀：配制体积比HCl∶H2O2∶H2O＝1∶1∶20的腐蚀液，并维持温度在15℃左右；将前道纯水冲洗过的片子放入此溶液中，不停摇动30秒左右，取出后用大量纯水冲洗1分钟左右，然后甩干，检查片子是否通过；通过则为合格晶片，需进行充氮气真空包装；不通过则需返工。
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