[发明专利]一种去除水中痕量溴酸根离子的简便方法无效

专利信息
申请号: 200910233410.X 申请日: 2009-10-26
公开(公告)号: CN101696050A 公开(公告)日: 2010-04-21
发明(设计)人: 崔皓;李琴;唐荣;丁亮;翟建平 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C02F1/46 分类号: C02F1/46;C02F1/70;C02F1/58;C02F101/12
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种去除水中痕量溴酸根离子的简便方法,其步骤是:利用三电极体系在合适的电位下恒电位合成聚苯胺薄膜,得到性质稳定的聚苯胺薄膜。在电极表面的薄膜对溴酸根离子具有优良的电催化活性,利用电化学催化还原反应,不但能将跟天然水体中痕量的溴酸根离子还原至国家标准内,而且对较高浓度的溴酸根溶液也具有较好的转化和去除效率。即在pH=6-8时,能将初始浓度为2ppm的溴酸根离子去除至20ppb。该方法简单易行,成本低廉,无需调节pH值,具有较好的应用价值和市场前景。
搜索关键词: 一种 去除 水中 痕量 溴酸 离子 简便 方法
【主权项】:
一种去除水中痕量溴酸根离子的简便方法,其特征在于包括以下步骤:1)将硫酸和苯胺单体混合后搅拌,混合液中的苯胺单体含量为0.1~1mol/L,硫酸浓度为0.5~3.0mol/L;2)将三电极体系置于含有硫酸和苯胺单体的溶液中反应0.1~2个小时进行电化学聚合,所述三电极体系包括工作电极、参比电极和对电极;3)电化学聚合反应后,将附着在三电极体系中工作电极上的聚苯胺膜取下,先浸入0.05mol/L硫酸中,再取出用去离子水洗涤吹干后备用;4)将上述步骤3)得到的聚苯胺膜浸入含有溴酸根离子的水中,在-1.5~1.5V电位范围内进行循环伏安扫描即可还原和去除水中的溴酸根离子。
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