[发明专利]压阻式高频高温动态压力传感器有效
申请号: | 200910234479.4 | 申请日: | 2009-11-20 |
公开(公告)号: | CN102072795A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 王冰;王文襄;柳维旗;尤彩红 | 申请(专利权)人: | 昆山双桥传感器测控技术有限公司 |
主分类号: | G01L23/18 | 分类号: | G01L23/18;B81B7/02 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德 |
地址: | 215325 江苏省昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种压阻式高频高温动态压力传感器,由压阻敏感组件、传感器金属壳体和高频宽带放大器组成,压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成,硅压阻敏感元件由圆平硅膜片的正面依次覆盖有SiO2层和Si3N4层形成,硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥而周部裸露出硅膜片后焊固于玻璃环片,硅压阻敏感元件反面形成金属反光膜,惠斯顿电桥上应变电阻用丝内引线引出,璃环片另一面固定于陶瓷隔离基座上环形凹坑面,陶瓷隔离基座又烧结固定于传感器金属壳体的进压端口,压阻敏感组件上金丝内引线引入到传感器内腔室中的转接板后,经过高频宽带放大器信号放大,由传感器尾部的输出电缆引出,本发明能在承受超高温和超高频冲击下仍然具有良好特性。 | ||
搜索关键词: | 压阻式 高频 高温 动态 压力传感器 | ||
【主权项】:
一种压阻式高频高温动态压力传感器,由压阻敏感组件和传感器金属壳体组成,其特征在于:1)该压阻敏感组件由硅压阻敏感元件(1)和玻璃环片(2)组成,该硅压阻敏感元件(1)由圆平硅膜片(11)的正面依次覆盖有SiO2层(12)和Si3N4(13)层形成,该硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥,而周部裸露出硅膜片后,焊固于与硅有相似热膨胀系数的该玻璃环片(2),该硅压阻敏感元件(1)反面通过真空蒸镀或磁控溅射形成金属反光膜,该惠斯顿电桥上应变电阻通过焊接金丝内引线(15)引出;2)该玻璃环片(2)另一面通过低温玻璃浆糊烧结或者通过高温粘胶剂粘接固定于陶瓷隔离基座(3)上设有的环形凹坑面,该陶瓷隔离基座(3)又通过低温玻璃浆糊烧结固定于该传感器金属壳体的进压端口,该压阻敏感组件上金丝内引线(15)通过该陶瓷隔离基座(3)之环形凹坑面上的中心孔,引入到该传感器内腔室中的转接板(4)后,由该传感器尾部的输出电缆(9)引出。
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