[发明专利]一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910234492.X | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101719516A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 秦旭光;殷允超 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件及其制造方法，该MOS器件为垂直MOS器件，其沟槽内设有一个栅极导电多晶硅和一个屏蔽栅导电多晶硅，屏蔽栅导电多晶硅位于栅极导电多晶硅下方；所述栅极导电多晶硅两侧与沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层，该绝缘栅氧化层的厚度从所述阱层中部位置开始往下逐渐变厚，相应地栅极导电多晶硅的宽度从所述阱层中部位置开始往下也逐渐变窄；所述屏蔽栅导电多晶硅两侧及底部均由屏蔽栅氧化层包围，所述栅极导电多晶硅与所述屏蔽栅导电多晶硅由导电多晶硅间绝缘介质层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 电荷 深沟 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件，所述MOS器件为垂直MOS器件，包括：位于硅片背面的重掺杂第一导电类型漏极区(1)，位于所述漏极区(1)上方的轻掺杂第一导电类型杂质的外延层(2)；位于所述外延层(2)上方的第二导电类型的阱层(3)；位于所述阱层(3)并伸入所述外延层(2)的沟槽(4)；在所述第二导电类型的阱层(3)上部且在所述沟槽(4)四周形成具有第一导电类型的源极区(6)，其特征在于：所述沟槽(4)内设有一个栅极导电多晶硅(7)和一个屏蔽栅导电多晶硅(8)，屏蔽栅导电多晶硅(8)位于栅极导电多晶硅(7)下方；所述栅极导电多晶硅(7)两侧与沟槽(4)内壁之间设有绝缘栅氧化层(5)，该绝缘栅氧化层(5)的厚度从所述阱层(3)中部位置开始往下逐渐变厚，相应地栅极导电多晶硅(7)的宽度从所述阱层(3)中部位置开始往下也逐渐变窄；所述屏蔽栅导电多晶硅(8)两侧及底部均由屏蔽栅氧化层(9)包围，所述栅极导电多晶硅(7)与所述屏蔽栅导电多晶硅(8)由导电多晶硅间绝缘介质层(10)隔开。
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