[发明专利]半导体感光器件的控制方法有效

专利信息
申请号: 200910234799.X 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN101715041A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 王鹏飞;刘磊;刘伟;张卫 申请(专利权)人: 苏州东微半导体有限公司
主分类号: H04N3/15 分类号: H04N3/15;H04N5/335
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陆明耀;陈忠辉
地址: 215021 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体感光器件,它包括一个源极、一个漏极、一个控制栅极、一个浮栅区、一个衬底以及一个用于连接浮栅区和漏极的p-n结二极管,所述半导体器件的浮栅区用于存储电荷。所述半导体器件的浮栅电势与光照射强度和时间有关,因此可以作为半导体感光器件。由所述半导体感光器件可以组成阵列从而组成图像传感器。本发明公开了一种上述半导体感光器件的控制方法,包括复位、感光、读取步骤。本发明公开的半导体感光器件可以简化传统图像传感器中单个像素单元的设计,减小单个像素单元所占用的面积,从而提高图像传感芯片的像素密度,增加图像传感芯片的分辨率并降低制造成本,其控制方法及控制电路也较为简单。
搜索关键词: 半导体 感光 器件 控制 方法
【主权项】:
一种半导体感光器件的控制方法,其特征在于:所述半导体感光器件的源区与多条源线中的任意一条相连接,其漏区与多条位线中的任意一条相连接,其控制栅极与多条字线中的任意一条相连接,其浮栅区储存电荷,所述浮栅区通过所述漏区和控制栅极进行电容耦合,以及一个用于连接所述浮栅区和所述漏区的感光二极管,其控制方法包含以下步骤:对多个半导体感光器件中的一个进行复位的步骤:对与所述半导体感光器件相连接的源线施加第一个电压;对与所述半导体感光器件相连接的字线施加第二个电压,并对与所述半导体感光器件相连接的位线施加第三个电压,由此使所述半导体感光器件中的所述感光二极管正向偏置,该半导体感光器件被重置;对多个半导体感光器件中的一个进行感光的步骤:对与所述半导体感光器件相连接的源线施加第一个电压;对与所述半导体感光器件相连接的字线施加第四个电压,并对与所述半导体感光器件相连接的位线施加第五个电压,由此使所述半导体感光器件的栅控二极管处于反向偏置状态;进行曝光,半导体感光器件的漏区与浮栅区之间的光生电流可以改变浮栅电势,使所述半导体感光器件的阈值电压变化;对多个半导体感光器件中的一个进行读取的步骤:对与所述半导体感光器件相连接的源线施加第一个电压;对与所述半导体感光器件相连接的字线施加第六个电压,并对与所述半导体感光器件相连接的位线施加第七个电压,读取通过源区与漏区的电流,根据电流大小判断曝光强度。
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