[发明专利]利用脉冲激光烧蚀制备Si纳米线的方法无效
| 申请号： | 200910235206.1 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102030328A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈兴;王磊;杜军;屠海令 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C01B33/023;B82B3/00;C23C14/28;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用脉冲激光烧蚀(PLA)制备Si纳米线的方法，属于硅纳米材料制备领域。该方法采用自行设计的PLA系统，通过选择合适的含硅靶材，调节靶材-基底距离、缓冲气体压力，在Si(100)衬底上沉积硅纳米线。当沉积距离控制在5-20cm，缓冲气体压力控制在100～1000torr范围，辅助合适的沉积时间和激光能量，可在硅单晶衬底上收集到大量的不同形状和尺寸的Si纳米材料。特别地，本发明提供了一种能够在常压下合成Si纳米线的方法，使Si纳米线的合成更加简单。同时，本发明也提供了一种能够合成链状Si纳米线的方法。另外，采用本发明制备的硅纳米线具有很好的光致发光特征。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 脉冲 激光 制备 si 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种利用脉冲激光烧蚀制备Si纳米线的方法，该方法包括以下步骤：(1)选择含硅材料，压制成靶，作为硅源；(2)以单晶硅片作为衬底材料，采用标准的RCA硅片清洗工艺对衬底材料进行清洗；(3)将靶和衬底材料置于脉冲激光器沉积设备中，抽真空至真空度为10Pa，然后通入高纯Ar或He气使环境气压为100～1000torr，将靶加热至1000～1300℃；(4)采用脉冲激光烧蚀靶，在衬底材料上收集硅纳米线。
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