[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200910235277.1 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102034810A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 郭建;周伟峰;明星;陈永;肖光辉 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板,其上形成有交叉的栅级线和数据线,每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极,其中:像素单元中还形成有修补线,修补线与栅极线和/或数据线同层形成,且与栅极线、数据线和TFT开关相互间隔;至少修补线的表层采用活性金属制成,活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺,针刺至少穿过其上的绝缘层。本发明利用了活性金属的针孔效应所产生的针刺,在出现非正常显示时,通过连接相邻像素单元中的针刺即可实现导电结构的连接。降低了修复难度,提高了液晶显示器的显示品质。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板,交叉的栅级线和数据线围设形成多个像素单元,每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极,其特征在于:像素单元中还形成有修补线,所述修补线与所述栅极线和/或数据线同层形成,且与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔;至少所述修补线的表层采用活性金属制成,所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺,所述针刺至少穿过其上的绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910235277.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种网络电缆
- 下一篇:分布式数字版权管理系统与其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的