[发明专利]一种航天器器件位移损伤剂量探测方法

摘要

本发明公开了一种航天器器件位移损伤剂量探测方法，属于核技术中的辐射探测技术领域。首先使用辐射源对集成有LED与PD的光电耦合器进行刻度，获得归一化时光电耦合器的电流传输比倒数的增量与位移损伤剂量的响应曲线。然后用地面位移损伤效应测试评估辐射源对光电耦合器进行辐照，获得光电耦合器电流传输比倒数的增量。根据具体辐照时光电耦合器电流传输比倒数的增量，响应曲线中查找出与之对应的位移损伤剂量值，即可探测出此时的位移损伤剂量。本发明克服了通常试验模拟源非理想单能及次级辐射的影响；相比现有的仅用LED做位移损伤探测，测试系统简单实用，消除了光学耦合引入的误差。

主权项

一种航天器器件位移损伤剂量探测方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、使用辐射源对光电耦合器进行刻度，获得归一化时光电耦合器的电流传输比倒数的增量Δ1/nCTR与位移损伤剂量的响应曲线，其中，Δ1/nCTR＝CTR0/CTR-1，CTR为光电耦合器的电流传输比，CTR0为光电耦合器未辐照时的初始电流传输比；所述光电耦合器集成有LED与PD；步骤二、用地面位移损伤效应测试评估辐射源对光电耦合器进行辐照，获得光电耦合器电流传输比倒数的增量Δ1/nCTR″；首先，获取此时光电耦合器的初始电流传输比CTR1；然后，用辐射源对光电耦合器进行照射，得到辐照后光电耦合器的电流传输比CTR2；之后，将CTR2除以CTR1，得到归一化后的电流传输比nCTR；最后，用nCTR的倒数减去数值1，即CTR1/CTR2-1，即得到光电耦合器电流传输比倒数的增量Δ1/nCTR″；步骤三、根据步骤二得到的具体辐照时光电耦合器电流传输比倒数的增量Δ1/nCTR″，在经步骤一得到的响应曲线中查找出与之对应的位移损伤剂量值，即可探测出此时的位移损伤剂量；步骤四、当对待检测器件进行抗位移损伤效应能力测试评估时，用步骤三得到的位移损伤剂量除以辐射源对光电耦合器进行照射的辐照时间，得到光电耦合器所处的辐照点的剂量率；然后把待检测器件放到该辐照点进行辐照，辐照时间等于该待检测器件的评估剂量除以辐照点的剂量率；此时，就可对经过辐照的待检测器件进行性能检测，看其是否达到在此位移损伤评估剂量下的性能要求。