[发明专利]透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910236143.1 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101697354A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 焦兴利;王海峰;刘亲壮;吴文彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 230026 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法。该薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO3和位于单晶衬底基片之上的LaxSr1-xSnO3外延薄膜及位于所述LaxSr1-xSnO3外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr0.52Ti0.48O3外延薄膜和BiFeO3外延薄膜；LaxSr1-xSnO3外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。本发明提供的p-n异质结薄膜，各层薄膜均具有很好的单晶外延性且均为钙钛矿结构，不仅具有很好的整流特性，而且整个器件在光波长400-2500nm(p层为PZT)、500-2500nm(p层为BFO)范围内具有高的透过率；p层材料(PZT，BFO)同时也是铁电材料，其中BFO在具有铁电性的同时还具有反铁磁性，在半导体器件的应用中会有更大的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 外延 异质结 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明外延p-n异质结薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO3和位于所述单晶衬底基片之上的LaxSr1-xSnO3外延薄膜及位于所述LaxSr1-xSnO3外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr0.52Ti0.48O3外延薄膜和BiFeO3外延薄膜；所述LaxSr1-xSnO3外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。
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