[发明专利]有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200910236146.5 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102040192A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓宏;陈欢;王辉;欧雪梅;李述汤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C01B33/021;C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备有序排列的弯折硅纳米线阵列的方法。该方法包括下述步骤：1)将刻蚀液置于耐氢氟酸腐蚀的容器中，然后将<111>晶向单晶硅片经过清洗，浸没于所述刻蚀液中，封闭容器；所述刻蚀液由硝酸银、氢氟酸和去离子水组成，所述刻蚀液中银离子的浓度为0.01-0.04mol/L，氢氟酸的浓度为1-5mol/L；2)将所述容器置于恒温水浴中，使所述硅片和刻蚀液反应，反应结束后，取出硅片，在所述硅片表面得到有序排列的弯折硅纳米线阵列。本发明的方法将金属离子辅助的溶液刻蚀技术和银粒子与硅片不同晶向的选择性作用有机地结合在一起，在硅片表面制备了有序排列的弯折硅纳米线阵列。该方法简便，反应条件温和，在室温下可一步实现有序排列的弯折硅纳米线阵列材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 有序 排列 弯折硅 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法，包括下述步骤：1)将刻蚀液置于耐氢氟酸腐蚀的容器中，然后将<111>晶向单晶硅片经过清洗，浸没于所述刻蚀液中，封闭容器；其中，所述刻蚀液由硝酸银、氢氟酸和去离子水组成，所述刻蚀液中银离子的浓度为0.01‑0.04mol/L，氢氟酸的浓度为1‑5mol/L；2)将所述容器置于恒温水浴中，使所述硅片和刻蚀液反应，反应结束后，取出硅片，在所述硅片表面得到有序排列的弯折硅纳米线阵列。
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