[发明专利]单芯多掺稀土离子区双包层光纤及其制作方法无效
| 申请号： | 200910236162.4 | 申请日： | 2009-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101694534A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 胡旭东;宁提纲;裴丽;李晶;周倩;魏淮;祁春慧 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;C03B37/025;C03B37/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 单芯多掺稀土离子区双包层光纤及其制作方法，属于大功率宽带光纤放大器、激光器、特种光纤领域，同时放大O、E、S，C，L，U/XL波段的信号。该双包层光纤单芯结构，容易与普通光纤直接熔接，其芯层包括N个独立的不完全相同的掺稀土离子区，2≤N≤20。其制作步骤：步骤一，将2≤N≤20根掺稀土离子双包层光纤的预制棒拉制成芯层直径相等的细棒，并将这些细棒的外包层除掉；步骤二，对去掉外包层的N根细棒进行处理，使得细棒的芯层成扇形；步骤三，将处理后的N根细棒组织起来，套上石英管，拉制成单芯多掺稀土离子区双包层光纤。采用光纤预制棒来制作单芯多掺杂光纤，简化了制作工艺，结构紧凑，受环境影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 单芯多掺 稀土 离子 包层 光纤 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
单芯多掺稀土离子区双包层光纤，其特征为：芯层包括N个独立掺稀土离子区，2≤N≤20的整数，其中这N个掺稀土离子区中至少有两个区的掺稀土离子类型不同。
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