[发明专利]聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910236401.6 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102050955A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 魏刚;王晓娜;李华芳;白阿香;陈晓晓 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08J7/06 | 分类号： | C08J7/06;C25D13/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 何清清 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚苯乙烯基二氧化硅薄膜的制备方法，将聚苯乙烯薄片进行表面磺化改性；以氨水为催化剂，正硅酸乙酯作为硅源，将水、氨水与正硅酸乙酯按摩尔比n(H2O)∶n(NH3)∶n(TEOS)＝1∶0.008∶0.012混合搅拌，制备溶胶溶液；将两个电极极板放入到溶胶溶液中，同时将聚苯乙烯基体偏向阳极板处放置，并在极板两端施加电场，电压2.8V-4.0V，施加电场4小时-7小时，得到聚苯乙烯基二氧化硅沉积膜，干燥后得到聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜。薄膜厚度均匀，表面光滑无裂纹，形成呈蠕虫状介孔孔道，具有一定的有序性，本发明的制备方法成本低，且该制备方法操作简便、易于控制、所需设备简单，能够大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 聚苯乙烯 基介孔 二氧化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，将聚苯乙烯薄片在室温下用硫酸浸泡进行表面磺化改性，将改性后的聚苯乙烯薄片用去离子水冲洗，烘干得到聚苯乙烯基体；以氨水为催化剂，正硅酸乙酯作为硅源，将水、氨水与正硅酸乙酯按摩尔比n(H2O)∶n(NH3)∶n(TEOS)＝1∶0.008∶0.012混合搅拌，直至体系变成半澄清溶液，将溶液过滤，澄清滤液在室温下陈化得到溶胶溶液；将两个电极极板放入到溶胶溶液中，中间留有间隔，同时将聚苯乙烯基体偏向阳极板处放置，并在极板两端施加电场，电压2.8V‑4.0V，在电场的作用下，二氧化硅溶胶颗粒沉积到聚苯乙烯基体上，施加电场4小时‑7小时后，得到聚苯乙烯基二氧化硅沉积膜，将薄膜于室温下干燥，得到聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜。
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