[发明专利]Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法有效
| 申请号： | 200910236706.7 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102054673A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 冉军学;王晓亮;李建平;胡国新;肖红领;王翠梅;杨翠柏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体材料 pn 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III‑氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910236706.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种四方相钛酸钡纳米棒阵列及其制备方法
- 下一篇：主梁帽一体成型工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
