[发明专利]电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法

摘要

一种电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep 520胶图形作为掩瞙，用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si，将高分辨率Zep 520胶图形转移到其下层的α-Si瞙上，接着去除Zep 520胶，进一步利用具有良好保真性的α-Si瞙图形为掩膜，采用F基反应离子刻蚀介质形成凹槽图形，最后用湿法或干法将α-Si瞙去净即可。本发明提供的方法简单可行，完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备，成本低，易于在介质中实现高精度的纳米尺度凹槽图形，解决了新结构CMOS器件制备中的一大难题。

主权项

一种电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法，其主要步骤如下：1)在需要加工的介质上沉积一层α‑Si薄膜，沉积温度520‑550℃；2)清洗，甩干，并在N2保护下进一步烘干；3)旋涂Zep 520电子束正性光刻胶；4)缓慢升温至170‑180℃烘烤20‑40分钟，并缓慢降温；5)电子束直写曝光并显影后，得到Zep 520胶纳米尺度凹槽图形；6)烘烤130‑140℃，30‑50分钟；7)采用氯基等离子体，以Zep 520胶为掩膜图形，刻蚀α‑Si瞙，使Zep 520胶图形转移到α‑Si瞙上；8)去净Zep 520正性电子束胶；9)以α‑Si瞙为掩膜图形，在氟基反应离子体中刻蚀介质层，使α‑Si图形转移到介质中；10)去净α‑Si，完成了介质中纳米尺度凹槽图形的加工。