[发明专利]一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺有效
| 申请号： | 200910236853.4 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101733536A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 信德磊 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | B23K11/11 | 分类号： | B23K11/11;B23K11/36 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带焊接强度的工艺，在镀Ni/V膜之前，在非晶微晶叠层薄膜电池上焊接镀锡铜带的位置盖上一层掩膜版，使俺盖的位置处不镀上Ni/V金属膜，之后将掩膜版去掉，使要焊接镀锡铜带的位置上留出Ag金属膜。本发明的优点在于：与常规PVD镀膜相比，使要焊镀锡铜带的位置上露出了Ag金属膜，Ag金属导电性更好，高温下也不易形成氧化层，并且镀锡铜带的外表面涂锡层中含有Ag成分，在助焊剂的帮助下，Ag金属膜更易与镀锡铜带焊接牢固，而且导电性更优。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜镀 ni 提高 镀锡 焊接 强度 工艺 | ||
【主权项】：
一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺，其流程特在在于：第一步：在PVD设备中，给经过激光划线的非晶微晶叠层薄膜电池表面镀上Ag膜层；第二步：将正面镀过Ni膜的金属长方棒覆盖非晶微晶叠层薄膜电池两侧需要焊接镀锡铜带的区域，形成掩膜区；第三步：再次将覆盖了金属长方棒的非晶微晶叠层薄膜电池放入PVD设备中镀Ni/V膜层，取出镀完Ni/V膜层非晶微晶叠层薄膜电池，去掉非晶微晶叠层薄膜电池上的金属长方棒；第四步：采用点焊的方法对非晶微晶叠层薄膜电池上露出的Ag膜区域焊接镀锡铜带。
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