[发明专利]一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法无效
| 申请号： | 200910237091.X | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102054680A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法，包括以下步骤：步骤10：在半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(101)；步骤20：高K栅介质层(101)经过快速热退火处理后，在其上形成钼基金属栅电极层(102)；步骤30：在钼基金属栅电极层(102)上形成势垒层(103)；步骤40：在势垒层(103)上形成硅栅层(104)。本发明在钼基金属栅和硅栅之间加入一层势垒层，可以防止钼基金属栅在硅栅淀积的过程中与硅栅发生反应。另外，该结构的功函数由处于底层的钼基金属栅决定，所以该方法不会影响P管功函数需要的钼基金属栅的功函数，为实现高K/钼基金属栅的叠层结构制备清除了障碍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 克服 基金 属栅叠层 结构 制备 反应 方法 | ||
【主权项】：
一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10：在半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(101)；步骤20：高K栅介质层(101)经过快速热退火处理后，在其上形成Mo基金属栅电极层(102)；步骤30：在Mo基金属栅电极层(102)上形成势垒层(103)；步骤40：在势垒层(103)上形成硅栅层(104)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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