[发明专利]一种非晶三元高K栅介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910237251.0 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102054858A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杜军;季梅;王磊 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/285;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶三元高K栅介质材料及其制备方法，及用于制备上述非晶三元高K栅介质材料所需的氧化铪陶瓷靶材和氧化钆陶瓷靶材的制备方法。本发明的非晶三元高K栅介质材料由单晶n型Si片和在它上面沉积的氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜组成，氧化钆的掺杂浓度为0～13.4％。本发明采用传统的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铪及氧化钆靶材，以单晶n型Si片作为基片，在基片上使用磁控共溅射的方法形成氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜，通过改变氧化钆的溅射功率来调整掺杂浓度。本发明制备的氧化钆掺杂氧化铪高K栅介质薄膜为非晶薄膜；并且具有较高的介电常数和非常小的漏电流密度，适于做高K栅介质使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶三元高K栅介质材料，由单晶n型Si片和在它上面沉积的氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜组成，氧化钆的掺杂浓度为0～13.4％(原子百分比)。
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