[发明专利]一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法无效
| 申请号： | 200910237344.3 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101844752A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 何军舫;邱克强;房明浩;刘艳改;黄朝晖 | 申请（专利权）人： | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;何军舫 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法，属于热解法制备无机材料技术领域。该高质量的热解BN坩埚采用热解法制备。其制备工艺的特征在于：1)先制备得到热解BN基体；2)对制备得到的热解BN基体表面进行处理；3)以表面处理后的热解BN为基体生长热解BN坩埚。本发明制备得到的热解BN坩埚的特点为：1)在同质基体上的外延生长；2)可以有效减少瘤泡等缺陷的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 bn 坩埚 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
本发明涉及一种高质量的热解BN坩埚及其制备方法，其特征在于：先制备得到热解BN基体；然后对制备得到的热解BN基体表面进行处理；再然后在经过表面处理后的热解BN基体上生长制备热解BN坩埚。
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