[发明专利]一种制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。在金属栅电极材料沉积后，淀积一层对氧分子具有催化功能的氧分子催化层，之后采取低温PMA退火工艺将退火氛围中的氧分子分解为更具活性的氧原子。这些氧原子透过金属栅扩散进高k栅介质薄膜中，并补偿高k薄膜中的氧空位，从而达到降低高k薄膜中的氧空位，提高高k薄膜质量的目的。本发明不仅可以实现高k栅介质薄膜的氧空位减少及缺陷降低，而且还可以避免传统PDA高温工艺导致的低介电常数SiOx界面层的生长，从而可以有效地控制整个栅介质层的EOT，并满足MOS器件继续按比例缩小的目的。同时，本发明还提供一种根据所述方法获得的半导体器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，其中所述第一区域具有与所述第二区域不同的掺杂类型；在所述半导体衬底上形成界面层；在所述界面层上形成栅极介质层；在所述栅极介质层上分别形成属于第一区域的第一功函数金属栅层和属于第二区域的第二功函数金属栅层；在所述第一、第二功函数金属栅层上形成氧分子催化层；对所述器件进行退火，以便将退火环境中的氧分子分解成氧原子，从而扩散进所述栅极电介质中以补偿氧空位和缺陷；在所述氧分子催化层上形成多晶硅层；对所述器件进行加工，以分别形成属于第一区域的第一栅极和属于第二区域的第二栅极。