[发明专利]GaN基光电子器件表面粗化的制作方法无效
| 申请号： | 200910237781.5 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102064258A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王辉;朱建军;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。 | ||
| 搜索关键词： | gan 光电子 器件 表面 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。
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