[发明专利]一种氧化钴气体扩散电极的制备方法无效
| 申请号： | 200910238078.6 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102062754A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 董汉鹏;陈庆永;夏善红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/404 | 分类号： | G01N27/404;H01M4/88;H01M4/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钴催化剂气体扩散电极的制备方法，涉及气体扩散电极技术，该制备方法，以氧化钴为催化剂；包括：A)在疏水透气的多孔聚合物薄膜表面溅射金属材料制备一层惰性电极；B)再在惰性电极的表面利用溅射法沉积制备一层金属钴；C)再用阳极氧化法将金属钴层氧化成所需要的氧化钴层，即得到成品：具有均匀的高催化活性的氧化钴电极。本发明制备的氧化钴气体扩散电极，催化剂分布均匀，性能稳定，活性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钴 气体 扩散 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钴气体扩散电极的制备方法，以氧化钴为催化剂；其特征在于：A)在疏水透气的多孔聚合物薄膜表面溅射金属材料制备一层惰性电极；B)再在惰性电极的表面利用溅射法沉积制备一层金属钴；C)再用阳极氧化法将金属钴层氧化成所需要的氧化钴层，即得到成品：具有均匀高催化活性的氧化钴电极。
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