[发明专利]锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 200910238148.8 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101876054A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张福恒;谌平凡;黄振;吴文彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;G01J5/02;H01L31/09 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 230026 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用。该薄膜，是按照包括如下步骤的方法制备得到的：利用脉冲激光沉积的方法，在NdGaO3(110)单晶基片上外延生长(La1-XPrX)0.67Ca0.33MnO3薄膜，沉积结束后原位退火降至室温，再于氧气气氛中进行退火，得到所述外延薄膜。本发明提供的锰氧化物外延薄膜，在Pr掺杂及其与(110)取向的NdGaO3单晶基片应力的共同作用下，显著提高了薄膜的电阻的温度系数TCR，最高可达80％。该薄膜在红外探测器领域具有广阔的应用前景，能够大大提高红外探测器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 外延 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种锰氧化物外延薄膜，是由NdGaO3单晶基片和在所述NdGaO3单晶基片上外延生长的(La1-XPrX)0.67Ca0.33MnO3薄膜组成；所述NdGaO3单晶基片的晶格取向是110面。
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