[发明专利]用于深紫外光刻的纳米级厚度的掩膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910238414.7 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102073212A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 江鹏 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及的用于深紫外光刻的纳米级厚度的掩膜，其为由链状烷烃类硅烷化有机分子与羟基化的单晶硅基片表面发生缩合反应，并沉积于其上的硅烷基化分子构成的岛状结构膜；其分子式为：CnH2n+1SiCl3或CnH2n+1Si(OCH3)3或CnH2n+1Si(OC2H5)3；其制备：先对单晶硅基片进行羟基化处理；再将单晶硅基片放入惰性气体保护的烷基三甲氧基硅烷甲苯/苯溶液、烷基三乙氧基硅烷甲苯/苯溶液或烷基三氯硅烷甲苯/苯溶液中浸泡，取出并用甲苯/苯溶剂反复冲洗，最后用氮或氩气吹干而得到；该膜在172纳米深紫外光照射下，5分钟之内全部分解，可作为快速、大规模制作高密度纳米级集成电路的深紫外光刻掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 深紫 光刻 纳米 厚度 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于深紫外光刻的纳米级厚度的掩膜，其为由链状烷烃类硅烷化有机分子与羟基化的单晶硅基片表面发生化学缩合反应，并沉积于所述羟基化的单晶硅基片一表面上的硅烷基化分子构成的岛状结构膜，其厚度为硅烷基化分子的烷基长链的链长；所述硅烷基化分子的烷基长链垂直于所述羟基化的单晶硅的该一表面；所述硅烷基化分子的分子式为CnH2n+1SiCl3、CnH2n+1Si(OCH3)3或CnH2n+1Si(OC2H5)3。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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