[发明专利]一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 200910238605.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101728279A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王西涛;张洋;吴建华;杨滨;王艳丽 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B22F3/14 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。其特征是在纯Al基体中添加合金元素制成的单质混合粉末或制成Al合金粉末，单质混合粉末或Al合金粉末与金刚石单晶颗粒按照体积分数比75∶25～40∶60混合均匀，装入石墨模具中进行放电等离子烧结，以50～100℃/min的升温速度加入至烧结温度580～800℃，烧结压力30～40MPa，保温保压5～20min，烧结完成即得到高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料。合金元素包括B、Si、Cr、Ti、Nb、Ag、Cu等。本发明材料的热导率达到430W/m·K，热膨胀系数6.40ppm/K，抗压强度331MPa，密度仅为3.13g/cm3，有效地解决了材料制备过程中单晶金刚石颗粒的石墨化问题，制备工艺简单，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 金刚石 强化 al 电子 封装 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法，其特征是在纯Al基体中添加合金元素制成的单质混合粉末或制成Al合金粉末，单质混合粉末或Al合金粉末与金刚石单晶颗粒按照体积分数比75∶25～40∶60混合均匀，装入石墨模具中进行放电等离子烧结，烧结在惰性气体的保护条件或真空度为8～9Pa的真空条件下进行，以50～100℃/min的升温速度加入至烧结温度580～800℃，烧结压力30～40MPa，保温时间5～20min，烧结完毕后随炉冷却，制备得到高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
