[发明专利]用于多位存储的沟槽型非挥发存储器

摘要

本发明公开了半导体器件及集成电路技术领域中的一种用于多位存储的沟槽型非挥发存储器。包括p型半导体衬底(411)、p型半导体衬底上的p阱(410)、p阱(410)上面的深槽(402)、深槽(402)底部的n型掺杂区(403)、p阱(410)上面深槽(402)一侧的边缘处衬底中的源极区(408)和p阱(410)上面深槽(402)另一侧的边缘处衬底中的漏极区(409)；深槽(402)内是由隧穿二氧化硅层(404)、电荷俘获层(405)、绝缘介质层(406)和多晶硅控制栅(407)构成的栅结构。本发明具有功耗低，两比特位间干扰小，编程操作窗口大、操作可靠性好的特点。

主权项

一种用于多位存储的沟槽型非挥发存储器，其特征是所述沟槽型非挥发存储器(401)包括p型半导体衬底(411)、p型半导体衬底上的p阱(410)、p阱(410)上面的深槽(402)、深槽(402)底部的n型掺杂区(403)、p阱(410)上面深槽(402)一侧的边缘处衬底中的源极区(408)和p阱上面深槽(402)另一侧的边缘处衬底中的漏极区(409)；所述深槽(402)内是由二氧化硅隧穿介质层(404)、电荷俘获层(405)、绝缘介质层(406)和多晶硅控制栅(407)构成的栅结构；所述电荷俘获层(405)用于俘获电荷；所述绝缘介质层(406)用于阻挡电荷在所述电荷俘获层(405)与所述多晶硅控制栅(407)之间的迁移；所述多晶硅控制栅(407)用于控制源极区(408)和漏极区(409)之间的导通与断开。