[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910238965.3 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102024888A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;苏喜林;胡红坡;张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括衬底、半导体层、透明导电层，该发光二极管还包括第一电极和第二电极，该第一电极与半导体层电连接，该第二电极与透明导电层电连接；其中，所述衬底上表面具有若干突起，该突起间形成有凹槽；所述半导体层包括位于凹槽正上方的凹槽半导体层和位于突起正上方的突起半导体层；所述透明导电层位于半导体层之上，用于向凹槽半导体层提供电流。本发明的发光二极管由于电流主要是通过晶格缺陷较少的凹槽半导体层，而在晶格缺陷较多的突起半导体层只有少部分电流通过，大大降低了非辐射复合发生的概率，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，依次包括衬底、半导体层、透明导电层，该发光二极管还包括第一电极和第二电极，该第一电极与半导体层电连接，该第二电极与透明导电层电连接；其特征在于，所述衬底上表面具有若干突起，该突起间形成有凹槽；所述半导体层包括位于凹槽正上方的凹槽半导体层和位于突起正上方的突起半导体层；所述透明导电层位于半导体层之上，用于向凹槽半导体层提供电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910238965.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种手机电池封装结构及其外壳
- 下一篇：显示装置
