[发明专利]一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法有效
| 申请号： | 200910241296.5 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102082070A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法，以解决现有技术中，在晶片减薄过程中，撕掉保护膜时容易将晶片的金属层一起撕掉的问题。该方法包括：在晶片的金属层表面涂光刻胶层，对所述金属层进行去边胶处理，去边胶宽度大于压边宽度；对去边胶处理后的所述金属层进行曝光处理和显影处理后，将去边胶区域的金属层中的部分金属层刻蚀掉，形成保护槽，刻蚀掉的部分金属层为去边胶区域与压边区域不重叠的部分金属层。采用本发明技术方案，可在很大程度上降低金属层在晶片减薄过程中被撕掉的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 过程 保护 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法，在所述晶片的金属层表面涂光刻胶层，其特征在于，包括步骤：对所述涂有光刻胶层的金属层进行去边胶处理，去边胶宽度大于压边宽度；对去边胶处理后的所述金属层进行曝光处理和显影处理后，将去边胶区域的金属层中的部分金属层刻蚀掉，形成保护槽，刻蚀掉的部分金属层为去边胶区域与压边区域不重叠的部分金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
