[发明专利]一种改进的中子掺杂晶体热处理工艺方法有效
| 申请号： | 200910241561.X | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102080265A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王小红;高源;徐学红 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种中子掺杂晶体热处理工艺方法，它包括下述步骤：1)中子掺杂后的晶体的清洗，清洗包括：纯水清洗和与混酸的化学反应以及之后的清洗；混酸中硝酸与氢氟酸的体积比范围为8∶1到3∶1；2)在热处理前，在样片的两端放置隔离物，随后进行热处理；3)将以上晶体按照一定的加热过程进行热处理；4)热处理过程结束后，对晶体进行表面喷砂处理或研磨处理后检验从而验证该工艺方法的效果。本发明的优点是处理工艺简便，效果好，可提高热处理后晶体的少子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 中子 掺杂 晶体 热处理 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种中子掺杂晶体热处理工艺方法，它包括下述步骤：1)、中子掺杂后的晶体的清洗，清洗包括：纯水清洗和与混酸的化学反应以及之后的清洗；混酸中硝酸与氢氟酸的体积比范围为8∶1到3∶1；2)在热处理前，在样片的两端放置隔离物，随后进行热处理；3)、将以上晶体按照一定的加热过程进行热处理；4)、热处理过程结束后，对晶体进行表面喷砂处理或研磨处理后检验从而验证该工艺方法的效果。
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