[发明专利]一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200910241664.6 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102079506A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 师文生;刘运宇;佘广为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C01B33/021 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于一维纳米材料的制备与应用领域，尤其涉及一种方向可以根据需要改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法。本发明首先在单晶硅片上化学镀一层纳米银颗粒作为金属催化剂，将镀过银的单晶硅片先在密闭容器中的一定浓度的刻蚀液中刻蚀一定时间，然后将刻蚀过的单晶硅片取出后放入在密闭容器中的另一浓度和比例不同的刻蚀液中，继续刻蚀一定时间，如此多次循环重复上述刻蚀，即可获得方向改变多次的弯折硅纳米线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方向 可以 改变 弯折硅 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：(1)将清洗干净的单晶硅片浸入AgNO3和HF混合的镀银溶液中，其中镀银溶液中的AgNO3浓度为5mM，HF的浓度为4‑5M；(2)在密闭容器中，将经步骤(1)得到的镀银单晶硅片浸入温度为10‑40℃的刻蚀液中进行刻蚀，在单晶硅片上刻蚀出硅纳米线阵列；所述的刻蚀液为HF和H2O2的混合溶液，其中混合溶液中的HF浓度为4‑5M，H2O2浓度为0.015‑0.06M，HF与H2O2的摩尔比值为80‑330；(3)将步骤(2)刻蚀完成后得到的单晶硅片取出并冲洗干净，在密闭容器中，再将步骤(2)刻蚀完成后得到的单晶硅片浸入温度为10‑40℃的另一浓度的刻蚀液中继续刻蚀，使步骤(2)刻蚀出的硅纳米线阵列继续刻蚀延长，并且新刻蚀出的硅纳米线阵列方向改变一次；所述的刻蚀液为HF和H2O2的混合溶液，其中混合溶液中的HF浓度为4‑5M，H2O2浓度为0.1‑0.22M，HF与H2O2的摩尔比值为20‑50；或直接向步骤(2)的刻蚀液中添加HF和/或H2O2来改变刻蚀液各组分的浓度和比例，在维持刻蚀液的温度为10‑40℃下，使刻蚀液中的HF浓度为4‑5M，H2O2浓度为0.1‑0.22M，HF与H2O2的摩尔比值为20‑50后继续刻蚀，使步骤(2)刻蚀出的硅纳米线阵列继续刻蚀延长，并且新刻蚀出的硅纳米线阵列方向改变一次；将刻蚀完成后得到的单晶硅片取出并冲洗干净，在单晶硅片上得到方向改变一次的弯折硅纳米线阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所，未经中国科学院理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910241664.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
