[发明专利]在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910241692.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740358A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 黄添懋;陈诺夫;施辉伟;尹志岗;吴金良;王彦硕;汪宇;张汉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 衬底 制备 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
