[发明专利]一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法无效
| 申请号： | 200910241699.X | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740690A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 纪攀峰;李京波;闫建昌;刘乃鑫;刘喆;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/34;C23C14/58;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的金属钛。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的激活效率大大的提高，增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化物 激活 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，其特征在于，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的金属钛。
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