[发明专利]一种含有钛酸锂薄膜电极的光电器件及其应用

摘要

本发明提供一种含有钛酸锂薄膜电极的光电器件，该器件至少包括钛酸锂薄膜电极，电解质，对电极；其中，钛酸锂薄膜生长在透明导电基底上，厚度为1nm-100μm，钛酸锂薄膜中含有化学组成为Li4+xAaTi5-yO12-zBb的物质；其中：A为H、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu、W、Pt、Au或Bi中的至少一种；B为N、P、S、Se、F、Cl、Br或I中的至少一种；x，a，y，z，b代表摩尔百分比，-4≤x≤4；0≤a≤4；0≤y≤4；0≤z≤3；0≤b≤4。

主权项

一种含有钛酸锂薄膜电极的光电器件，其特征在于，该器件至少包括钛酸锂薄膜电极，电解质，对电极；其中，钛酸锂薄膜生长在透明导电基底上，厚度为1nm‑100μm，钛酸锂薄膜中含有化学组成为Li4+xAaTi5‑yO12‑zBb的物质，其中：A为H、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu、W、Pt、Au或Bi中的至少一种；B为N、P、S、Se、F、Cl、Br或I中的至少一种；x，a，y，z，b代表摩尔百分比，‑4≤x≤4；0≤a≤4；0≤y≤4；0≤z≤3；0≤b≤4。