[发明专利]一种干法氟化铝生产中的脱硅脱磷方法无效
| 申请号： | 200910242209.8 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101875501A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 孙继红;何玮;王丽娟 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01F7/50 | 分类号： | C01F7/50 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种干法氟化铝生产中的脱硅脱磷方法本发明属于化工领域。本发明将萤石和硫酸在制酸炉中通过化学反应制取含有大量杂质的氟化氢气体，在净化塔中经过硫酸洗涤后，随即进入膜分离器；所述的膜分离器比表面积大于180m2/g，膜材料的孔径小于1μm和耐温性在20℃-120℃之间，负压1000-3000Pa，同时该膜材料具有耐氢氟酸腐蚀，获得无水氟化氢气体，最后将该气体送入流化床与氢氧化铝反应。经测氟化铝产品中SiO2含量不大于0.30％，P2O5含量不大于0.04％。所脱除的杂质颗粒尺寸在200nm-500nm之间，其成份主要由氟，硅，磷，铁，硫，氧等组成。本发明原理简单，流程容易操作，而且工艺易于控制，能耗低，即使使用三级萤石矿生产的干法氟化铝产品，其性能参数仍可满足干法氟化铝一级品的各项指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 生产 中的 脱硅脱磷 方法 | ||
【主权项】：
一种干法氟化铝生产工艺中的脱硅脱磷方法，其特征是：将萤石和硫酸在制酸炉中通过化学反应制取含有大量杂质的氟化氢气体，在净化塔中经过硫酸洗涤后，随即进入膜分离器；所述的膜分离器比表面积大于180m2/g，膜材料的孔径小于1μm和耐温性在20℃-120℃之间，负压1000-3000Pa，同时该膜材料具有耐氢氟酸腐蚀，获得无水氟化氢气体，最后将该气体送入流化床与氢氧化铝反应，得到SiO2含量和P2O5含量很低的干法氟化铝产品。
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