[发明专利]磁控式并联电抗器非线性磁路的等值磁通差暂态建模方法有效
| 申请号： | 200910243082.1 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101719184A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 郑伟杰;周孝信 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种描述超/特高压磁控式并联电抗器(magnetically controlled shunt reactor，高压磁控式并联电抗器)非线性磁饱和特性的实用化解耦电磁暂态建模方法，以反双曲函数描述非线性磁路特性，提出并利用磁通替代算法，对耦合磁路方程进行解耦，建立等值磁通差电磁暂态建模方法，不仅精确反映了超/特高压磁控式并联电抗器的饱和磁路连续光滑调节特性，避免了分段线性化算法的数值震荡，而且在大范围连续调节情况下，无需修改导纳矩阵，不影响计算速度，能够满足实时/超实时仿真计算的需要。为超/特高压磁控式并联电抗器的实时电磁暂态计算提供了必要的仿真工具，也为非线性元件的实时电磁暂态建模方法开创了新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控式 并联 电抗 非线性 磁路 等值 磁通差暂态 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控式并联电抗器非线性磁路的等值磁通差暂态建模方法，其特征在于该方法以反双曲函数描述非线性磁路特性，并利用磁通替代算法，把非线性磁路和微分电路方程组解耦，对耦合磁路方程进行解耦，从而建立等值磁通差电磁暂态模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电力科学研究院，未经中国电力科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910243082.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
