[发明专利]一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法有效
| 申请号： | 200910243155.7 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101763446A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 薛守斌;王思浩;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，其中，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 器件 辐照 位移 损伤 估算 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，其特征在于，根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，其中，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。
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