[发明专利]一种可用于光束整形的金属槽缝结构有效
| 申请号： | 200910243535.0 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101726869A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;赵泽宇;崔建华;冯沁;李雄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;卢纪 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种可用于光束整形的金属槽缝结构，包括以下步骤：(1)选择硅基片，并将其表面抛光；然后在其表面溅射沉积一层厚度在所需波长量级的金属膜；(2)采用聚焦离子束光刻技术，在金属膜的一端开始刻蚀沟槽，一个沟槽刻蚀完成后，向另一端周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复刻蚀多个沟槽；(3)一边沟槽达到一定数量后，再将聚焦离子束的聚焦位置沿同一方向移动一个周期；将金属层刻透，形成一条缝隙。(4)再沿同一方向周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复步骤(2)，刻蚀与步骤(2)中同样数量的沟槽。一种可用于光束整形的金属槽缝结构制作完成。本发明结构简单、制作方便，可以实现以0度角方向为中心在任意的角度范围内实现强度均匀分布的远场辐射。这为微波和光频段的远场电磁辐射控制提供了新的方法和新的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光束 整形 金属 结构 | ||
【主权项】：
一种可用于光束整形的金属槽缝结构，其特征在于：所述金属槽缝结构的制作方法如下：(1)选择硅基片，并将硅基片表面抛光；然后在硅基片表面溅射沉积一层厚度在所需半波长量级的金属膜；(2)采用聚焦离子束光刻技术，在金属膜的一端开始刻蚀沟槽，一个沟槽刻蚀完成后，向另一端周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复刻蚀多个沟槽；(3)一边沟槽达到一定数量后，再将聚焦离子束的聚焦位置沿同一方向移动一个周期；将金属层刻透，形成一条缝隙；(4)再沿同一方向周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复步骤(2)，刻蚀与步骤(2)中同样数量的沟槽，一种可用于光束整形的金属槽缝结构制作完成。
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