[发明专利]一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体有效
| 申请号： | 200910243548.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101724811A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;冯沁;赵泽宇;胡承刚;崔建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;卢纪 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体，制作步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米为的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米至45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米至25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成。本发明具有制作简便，厚度小，入射角度大的特性，在电磁能量吸收、转换等领域具有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 波长 金属 阵列 电磁 完美 吸收体 | ||
【主权项】：
一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体，其特征所述吸收体的制作步骤如下：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米为的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米-45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米-25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成。
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