[发明专利]一种多层组合的电磁调制结构及其制备方法无效
申请号: | 200910243580.6 | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN102109685A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 夏晓翔;杨海方;顾长志;张异光 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G03F7/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种多层组合的人工电磁调制结构及制备方法,其结构在特定衬底材料上利用多层精确对准的金属亚波长结构以及介质中间层、覆盖层共同形成的多层组合,可以实现多种选频、滤波、增透、旋光以及特殊折射等特定电磁调制功能;其制备方法为利用旋涂或沉积以及精确对准套刻的方法,实现上述层间精确对准的多层组合电磁调制结构的制备方法,利用该制备方法所制备的多层层状结构的人工电磁调制结构可以通过精确对准的金属结构实现层与层间的电磁耦合,增加该结构对特定波长电磁波的可调制性。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 组合 电磁 调制 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多层组合的人工电磁调制结构,其包括:衬底材料层;覆盖在该衬底材料层上的最下层金属亚波长单元阵列层;依次叠加覆盖于所述最下层金属亚波长单元阵列层上的至少一层周期单元层;每一层周期单元层均由一介质中间层与覆盖于该介质中间层上的金属亚波长单元阵列层组成;所述的介质中间层为绝缘材料层,其厚度为1nm到100mm。
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