[发明专利]一种实现亚10nm栅长线条的方法

摘要

一种实现亚10nm栅长线条的方法：在衬底上垫积或热氧化生长介质层、垫积栅电极材料、正性电子束曝光并刻蚀凹槽、垫积氧化物介质层、氧化物介质层表面平坦化、正性电子束曝光并刻蚀凹槽以及刻蚀栅电极材料等。本发明工艺简单，可重复性好，完全采用传统自顶向下的工艺实现与CMOS工艺的完全兼容，工艺窗口较大，易于集成，有利于在微电子工艺流程中定义极短的精细图形，使得最小特征尺寸不依赖于光刻能力，推动器件尺寸往更小的方向发展。

主权项

一种实现10nm极短栅长线条的方法，其主要步骤是：1)在衬底上垫积或热氧化生长栅介质层；2)垫积栅电极材料；3)正性电子束曝光并刻蚀栅电极材料形成凹槽；4)化学气相垫积氧化物介质层；5)氧化物介质层表面平坦化；6)正性电子束曝光并刻蚀介质层形成两个相邻的凹槽；7)刻蚀栅电极材料；