[发明专利]半导体激光器储存盒无效

专利信息
申请号: 200910243746.4 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN101746578A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 李全宁;刘素平;马骁宇;熊聪;张海艳;罗泓;冯小明 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B65D85/86 分类号: B65D85/86
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种半导体激光器储存盒,包括:一L型底座,其断面为L形,在L型底座较宽的一内面与断面平行,均匀挖出多个V型斜面托,并在V型斜面托之间凸起部的前后两端开出贯通的矩形槽,该V型斜面托用于激光器热沉的置放和定位;L型底座较窄的一面为底座挡板;一L型顶盖,其断面为L形,该L型顶盖与L型底座配套,在较宽的一内面均匀挖出多个V型斜面凹槽,并在V型斜面凹槽前后两端开出V型槽,该V型槽的宽度和深度大于V型斜面凹槽的宽度和深度;在L型顶盖中较窄的一面开有与V型斜面托数量相等的固定螺孔;所述L型顶盖扣合于L型底座。
搜索关键词: 半导体激光器 储存
【主权项】:
一种半导体激光器储存盒,包括:一L型底座,其断面为L形,在L型底座较宽的一内面与断面平行,均匀挖出多个V型斜面托,并在V型斜面托之间凸起部的前后两端开出贯通的矩形槽,该V型斜面托用于激光器热沉的置放和定位;L型底座较窄的一面为底座挡板;一L型顶盖,其断面为L形,该L型顶盖与L型底座配套,在较宽的一内面均匀挖出多个V型斜面凹槽,并在V型斜面凹槽前后两端开出V型槽,该V型槽的宽度和深度大于V型斜面凹槽的宽度和深度;在L型顶盖中较窄的一面开有与V型斜面托数量相等的固定螺孔;所述L型顶盖扣合于L型底座。
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