[发明专利]高性能半导体器件及其形成方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行反转Halo离子注入以形成反转Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行反转Halo离子注入，以在器件的沟道中形成反转Halo离子注入区；而后进行退火，以激活反转Halo离子注入区的掺杂；最后根据制造工艺的要求对器件进行后续加工。通过本发明能够避免反转Halo离子注入对栅堆叠的劣化，使得反转Halo离子注入能够应用于金属栅堆叠器件中，同时能够很好地降低和控制短沟道效应，从而提高器件性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：a)提供一个衬底；b)在衬底上形成源极区、漏极区、设置在所述衬底上位于所述源极区和漏极区之间的栅堆叠、在所述栅堆叠侧壁形成的侧墙以及覆盖所述源极区和漏极区的内层介电层，所述栅堆叠包括栅极介质层和伪栅极，所述器件的栅长小于；c)去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；d)对所述器件进行反转Halo离子注入，对于N型半导体器件使用N型掺杂剂进行离子注入，对于P型半导体器件使用P型掺杂剂进行离子注入，以在所述开口的衬底中形成反转Halo离子注入区；f)进行退火，以激活反转Halo离子注入区的掺杂；g)对所述器件进行后续加工。