[发明专利]一种三极管版图设计方法、装置及一种芯片无效
| 申请号： | 200910243862.6 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101719186A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 冯春磊 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三极管版图设计方法及装置，以解决三极管版图面积较大的问题。所述三极管版图依次包括集电区、基区和发射区三个区域，所述方法包括：根据版图设计规则，设计基区与发射区之间的距离；去除集电区与基区之间的距离，使基区与集电区相接，但在集电区与基区之间填充硅进行区域区分。本发明去除了现有技术中集电区与基区之间的距离，使基区与集电区直接相邻，从而减小了版图的面积；而且，在集电区与基区之间填充硅进行区域区分，从而保证了杂质注入所述两个区域的准确性，实现了集电区与基区的自校准。此外，本发明还提供了一种包括所述三极管的芯片，可以减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三极管 版图 设计 方法 装置 芯片 | ||
【主权项】：
一种三极管版图设计方法，所述三极管版图依次包括集电区、基区和发射区三个区域，其特征在于，包括：根据版图设计规则，设计基区与发射区之间的距离；去除集电区与基区之间的距离，使基区与集电区相接，但在集电区与基区之间填充硅进行区域区分。
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