[发明专利]一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法无效
| 申请号： | 200910244051.8 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102110649A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 谭灿健;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法。该方法在传统的铝栅CMOS制作工艺的基础上进行改进，在N型衬底基片下片后先进行一次N型离子注入工艺，以增加衬底表面浓度。基片上注入的N型离子在高温炉管的推阱工艺中自动在衬底上形成N阱，从而减轻衬底浓度变化对PMOS管漏电的影响，达到改善电路静态电流失效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 互补 金属 氧化物 半导体 静态 电流 失效 方法 | ||
【主权项】：
一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，该方法基于P阱CMOS制作工艺，其特征在于：在准备好用于制作铝栅CMOS的N型衬底基片后，先在基片上进行N型离子注入，增加衬底表面浓度，然后再进行后续的铝栅CMOS制作工艺步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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