[发明专利]基于电子对效应检测材料缺陷的方法及系统无效
| 申请号： | 200910244360.5 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102109474A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 康克军;李元景;杨祎罡;李铁柱;张勤俭;张翼 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | G01N23/18 | 分类号： | G01N23/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 范晓斌;杨松龄 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于电子对效应检测材料缺陷的方法及系统。该方法包括以下步骤：提供能与被检测材料发生电子对效应的低能X射线；用所述低能X射线照射所述被检测材料，通过电子对效应在所述被检测材料内产生正电子；利用γ射线探测器测量由于所述正电子的湮没而放出的γ光子能谱；和分析所述γ光子能谱以确定所述被检测材料内是否存在缺陷。该方法利用低能X射线在被检测材料内部发生电子对效应产生的正电子实现对被检测材料内部缺陷的检测，因为正电子是在材料内部较为均匀的产生，所述正电子湮没后放出的511keV γ射线会均匀地带出材料内部的微观结构信息。并且，较低能量X射线在购置、使用成本方面更低，防护要求少、便于现场使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子对 效应 检测 材料 缺陷 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种基于电子对效应检测材料缺陷的方法，包括以下步骤：提供能与被检测材料发生电子对效应的低能X射线；用所述低能X射线照射所述被检测材料，通过电子对效应在所述被检测材料内产生正电子；利用γ射线探测器测量由于所述正电子的湮没而放出的γ光子能谱；和分析所述γ光子能谱以确定所述被检测材料内是否存在缺陷。
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